R6047ENZ1C9,2630122,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.066 ohm, 10 V, 4 V,ROHM
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4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
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R6047ENZ1C9
R6047ENZ1C9 -
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.066 ohm, 10 V, 4 V
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制造商:
ROHM
ROHM
制造商产品编号:
R6047ENZ1C9
仓库库存编号:
2630122
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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R6047ENZ1C9产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
47A
漏源电压, Vds
600V
在电阻RDS(上)
0.066ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
4V
功耗 Pd
120W
晶体管封装类型
TO-247
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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晶体管极性 N沟道
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电流, Id 连续 47A
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漏源电压, Vds 600V
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在电阻RDS(上) 0.066ohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 在电阻RDS(上) 0.066ohm
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电压 @ Rds测量 10V
ROHM 电压 @ Rds测量 10V
场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 4V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 阈值电压 Vgs 4V
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功耗 Pd 120W
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场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 功耗 Pd 120W
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晶体管封装类型 TO-247
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针脚数 3引脚
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场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 3引脚
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工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C
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Q Q:
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R6047ENZ1C9产地与重量
原产地:
Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.00001
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