R6035ENZC8,2630120,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 4 V,ROHM
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R6035ENZC8 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 4 V

ROHM R6035ENZC8
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ROHM ROHM
制造商产品编号：
R6035ENZC8
仓库库存编号：
2630120
技术数据表：
(EN)
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R6035ENZC8产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  35A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS（上）  0.092ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  120W  
  晶体管封装类型  TO-3PF  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
R6035ENZC8
[更多]		 ROHM Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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R6035ENZC8
[更多]		 ROHM Semiconductor

MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

RoHS: Compliant

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R6035ENZC8
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Trans MOSFET N-CH 600V ±35A 3-Pin TO-3PF Tube - Tape and Reel (Alt: R6035ENZC8)

RoHS: Compliant

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R6035ENZC8
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MOSFET, N-CH, 600V, 35A, TO-3PF

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R6035ENZC8
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Rohm Semiconductor - R6035ENZC8 - MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF		Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF

型号：R6035ENZC8
仓库库存编号：R6035ENZC8-ND
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
R6035ENZC8
ROHM R6035ENZC8		2630120

ROHM

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 4 V

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无图R6035ENZC8
Rohm Semiconductor		MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
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R6035ENZC8产地与重量

原产地：
Japan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00001
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