R6007ENJTL,2630087,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V,ROHM
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R6007ENJTL - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V

ROHM R6007ENJTL
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ROHM ROHM
制造商产品编号：
R6007ENJTL
仓库库存编号：
2630087
技术数据表：
(EN)
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R6007ENJTL产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  7A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS（上）  0.57ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  78W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
R6007ENJTL
[更多]		 ROHM Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 7A LPT

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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R6007ENJTL
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MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

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R6007ENJTL
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Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

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Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

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R6007ENJTL
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Trans MOSFET N-CH 600V ±7A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: R6007ENJTL)

RoHS: Compliant

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R6007ENJTL
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Trans MOSFET N-CH 600V ±7A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: R6007ENJTL)

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

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MOSFET, N-CH, 600V, 7A, TO-263

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R6007ENJTL
ROHM R6007ENJTL		2630087

ROHM

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V

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Rohm Semiconductor - R6007ENJTL - MOSFET N-CH 600V 7A LPT		Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A LPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）

型号：R6007ENJTL
仓库库存编号：R6007ENJTLCT-ND
别名：R6007ENJTLCT
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R6007ENJTL产地与重量

原产地：
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00001
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