R6004ENX,2630086,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V,ROHM
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R6004ENX - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V

ROHM R6004ENX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ROHM ROHM
制造商产品编号：
R6004ENX
仓库库存编号：
2630086
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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R6004ENX产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  4A  
  漏源电压, Vds  600V  
  在电阻RDS（上）  0.9ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  40W  
  晶体管封装类型  TO-220FM  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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R6004ENX
[更多]		 ROHM Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 4A TO220

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

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Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Trans MOSFET N-CH 600V ±4A 3-Pin TO-220FM Bulk (Alt: R6004ENX)

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Trans MOSFET N-CH 600V ±4A 3-Pin TO-220FM Bulk - Tape and Reel (Alt: R6004ENX)

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R6004ENX
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Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

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R6004ENX
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MOSFET, N-CH, 600V, 4A, TO-220FM

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无图R6004ENX
Rohm Semiconductor		MOSFET N-CH 600V 4A TO220
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Rohm Semiconductor - R6004ENX - MOSFET N-CH 600V 4A TO220		Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM

型号：R6004ENX
仓库库存编号：R6004ENX-ND
别名：R6004ENXCT
R6004ENXCT-ND
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R6004ENX
ROHM R6004ENX		2630086

ROHM

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V

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R6004ENX产地与重量

原产地：
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00001
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