QS8J13TR..,2490605,双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -5.5 A, -12 V, 0.015 ohm, -4.5 V, -1 V,ROHM
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4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
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QS8J13TR..
QS8J13TR.. -
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -5.5 A, -12 V, 0.015 ohm, -4.5 V, -1 V
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制造商:
ROHM
ROHM
制造商产品编号:
QS8J13TR..
仓库库存编号:
2490605
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
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QS8J13TR..产品信息
晶体管极性
双P沟道
电流, Id 连续
-5.5A
漏源电压, Vds
-12V
在电阻RDS(上)
0.015ohm
电压 @ Rds测量
-4.5V
阈值电压 Vgs
-1V
功耗 Pd
1.5W
晶体管封装类型
TSMT
针脚数
8引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
-
关键词
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晶体管极性 双P沟道
ROHM 晶体管极性 双P沟道
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电流, Id 连续 -5.5A
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双路场效应管MOSFET晶体管 电流, Id 连续 -5.5A
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漏源电压, Vds -12V
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双路场效应管MOSFET晶体管 漏源电压, Vds -12V
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在电阻RDS(上) 0.015ohm
ROHM 在电阻RDS(上) 0.015ohm
双路场效应管MOSFET晶体管 在电阻RDS(上) 0.015ohm
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电压 @ Rds测量 -4.5V
ROHM 电压 @ Rds测量 -4.5V
双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 -4.5V
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阈值电压 Vgs -1V
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双路场效应管MOSFET晶体管 阈值电压 Vgs -1V
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功耗 Pd 1.5W
ROHM 功耗 Pd 1.5W
双路场效应管MOSFET晶体管 功耗 Pd 1.5W
ROHM 双路场效应管MOSFET晶体管 功耗 Pd 1.5W
晶体管封装类型 TSMT
ROHM 晶体管封装类型 TSMT
双路场效应管MOSFET晶体管 晶体管封装类型 TSMT
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针脚数 8引脚
ROHM 针脚数 8引脚
双路场效应管MOSFET晶体管 针脚数 8引脚
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工作温度最高值 150°C
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双路场效应管MOSFET晶体管 工作温度最高值 150°C
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产品范围 -
ROHM 产品范围 -
双路场效应管MOSFET晶体管 产品范围 -
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汽车质量标准 -
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双路场效应管MOSFET晶体管 汽车质量标准 -
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MSL -
ROHM MSL -
双路场效应管MOSFET晶体管 MSL -
ROHM 双路场效应管MOSFET晶体管 MSL -
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
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QS8J13TR..产地与重量
原产地:
Japan
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.005577
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英国2号品牌选型
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