BSM180D12P2C101,2345471,单晶体管 双极, N沟道, 180 A, 1.2 kV, 2.7 V,ROHM
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BSM180D12P2C101 - 

单晶体管 双极, N沟道, 180 A, 1.2 kV, 2.7 V

ROHM BSM180D12P2C101
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制造商:
ROHM ROHM
制造商产品编号:
BSM180D12P2C101
仓库库存编号:
2345471
技术数据表:
(EN)
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BSM180D12P2C101
库存编号:BSM180D12P2C101-ND
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BSM180D12P2C101
库存编号:755-BSM180D12P2C101
ROHM Semiconductor MOSFET Modules Mod: 1200V 180A (no Diode)8
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BSM180D12P2C101
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BSM180D12P2C101
库存编号:60637932
ROHM Semiconductor Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 204A 10-Pin Tray0
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BSM180D12P2C101
库存编号:61252974
ROHM Semiconductor Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 204A 10-Pin Tray0
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BSM180D12P2C101 ROHM Semiconductor  
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BSM180D12P2C101 ROHM Semiconductor RoHS (ship within 1day) - D/C 202110
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BSM180D12P2C101产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  180A  
  漏源电压, Vds  1.2kV  
  在电阻RDS(上)  -  
  电压 @ Rds测量  -  
  阈值电压 Vgs  2.7V  
  功耗 Pd  1.13kW  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
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参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
BSM180D12P2C101
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ROHM Semiconductor

MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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BSM180D12P2C101
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ROHM Semiconductor

Discrete Semiconductor Modules Mod: 1200V 180A (no Diode)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
BSM180D12P2C101
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ROHM Semiconductor

Trans SiC MOSFET N-CH 1.2KV 180A 10-Pin Case C Tray - Bulk (Alt: BSM180D12P2C101)

RoHS: Compliant

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BSM180D12P2C101
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ROHM Semiconductor

Trans SiC MOSFET N-CH 1.2KV 180A 10-Pin Case C Tray (Alt: BSM180D12P2C101)

RoHS: Compliant

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BSM180D12P2C101
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ROHM Semiconductor

MODULE, POWER, SIC, 1200V, 180A

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型号 制造商 描述 操作
BSM180D12P2C101
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ROHM Semiconductor  

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
BSM180D12P2C101
ROHM BSM180D12P2C101
2345471

ROHM

单晶体管 双极, N沟道, 180 A, 1.2 kV, 2.7 V

(EN)
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图BSM180D12P2C101
ROHM
原厂原装货
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Rohm Semiconductor - BSM180D12P2C101 - MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 180A 1130W Module

型号:BSM180D12P2C101
仓库库存编号:BSM180D12P2C101-ND
无铅搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669

BSM180D12P2C101产地与重量

原产地:
Japan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85359000
重量(千克):
.05
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