BSM120D12P2C005,2345472,单晶体管 双极, N沟道, 120 A, 1.2 kV, 2.7 V,ROHM
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BSM120D12P2C005
BSM120D12P2C005 -
单晶体管 双极, N沟道, 120 A, 1.2 kV, 2.7 V
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制造商:
ROHM
ROHM
制造商产品编号:
BSM120D12P2C005
仓库库存编号:
2345472
技术数据表:
(EN)
订购热线:
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BSM120D12P2C005产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
120A
漏源电压, Vds
1.2kV
在电阻RDS(上)
-
电压 @ Rds测量
-
阈值电压 Vgs
2.7V
功耗 Pd
780W
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
关键词
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电压 @ Rds测量 -
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场效应管MOSFET模块 电压 @ Rds测量 -
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阈值电压 Vgs 2.7V
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场效应管MOSFET模块 阈值电压 Vgs 2.7V
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功耗 Pd 780W
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场效应管MOSFET模块 功耗 Pd 780W
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工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET模块 工作温度最高值 150°C
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产品范围 -
ROHM 产品范围 -
场效应管MOSFET模块 产品范围 -
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sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
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BSM120D12P2C005产地与重量
原产地:
Japan
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85359000
重量(千克):
.279413
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