RQJ0306FQDQA#H6,2135181,晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.075 ohm, -4.5 V,RENESAS
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RQJ0306FQDQA#H6 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.075 ohm, -4.5 V

RENESAS RQJ0306FQDQA#H6
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
RENESAS RENESAS
制造商产品编号：
RQJ0306FQDQA#H6
仓库库存编号：
2135181
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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RQJ0306FQDQA#H6产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -3A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS（上）  0.075ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -  
  功耗 Pd  800mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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RQJ0306FQDQA#H6产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000011
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