RQJ0305EQDQS#H1,2135194,晶体管, MOSFET, P沟道, -3.4 A, -30 V, 0.11 ohm, -4.5 V,RENESAS
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RQJ0305EQDQS#H1 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.4 A, -30 V, 0.11 ohm, -4.5 V

RENESAS RQJ0305EQDQS#H1
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制造商：
RENESAS RENESAS
制造商产品编号：
RQJ0305EQDQS#H1
仓库库存编号：
2135194
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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RQJ0305EQDQS#H1产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -3.4A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS（上）  0.11ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -  
  功耗 Pd  1.5W  
  晶体管封装类型  SOT-89  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 2A - 4星期  
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RQJ0305EQDQS#H1产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00005
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