RJK0856DPB,1829607,晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 80 V, 6.9 mohm, 10 V,RENESAS
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

RJK0856DPB - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 80 V, 6.9 mohm, 10 V

RENESAS RJK0856DPB
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
RENESAS RENESAS
制造商产品编号：
RJK0856DPB
仓库库存编号：
1829607
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

RJK0856DPB产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  35A  
  漏源电压, Vds  80V  
  在电阻RDS（上）  6.9mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  -  
  功耗 Pd  65W  
  晶体管封装类型  SC-100  
  针脚数  5引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

RJK0856DPB相关搜索

晶体管极性 N沟道  RENESAS 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  RENESAS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 35A  RENESAS 电流, Id 连续 35A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 35A  RENESAS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 35A   漏源电压, Vds 80V  RENESAS 漏源电压, Vds 80V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 80V  RENESAS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 80V   在电阻RDS（上） 6.9mohm  RENESAS 在电阻RDS（上） 6.9mohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 6.9mohm  RENESAS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 6.9mohm   电压 @ Rds测量 10V  RENESAS 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V  RENESAS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs -  RENESAS 阈值电压 Vgs -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -  RENESAS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -   功耗 Pd 65W  RENESAS 功耗 Pd 65W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 65W  RENESAS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 65W   晶体管封装类型 SC-100  RENESAS 晶体管封装类型 SC-100  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SC-100  RENESAS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SC-100   针脚数 5引脚  RENESAS 针脚数 5引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 5引脚  RENESAS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 5引脚   工作温度最高值 150°C  RENESAS 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  RENESAS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  RENESAS 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  RENESAS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  RENESAS 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  RENESAS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  RENESAS MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  RENESAS 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

RJK0856DPB产地与重量

原产地：
Japan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00008
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com