RJK0652DPB-00#J5,2135161,晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.0055 ohm, 10 V,RENESAS
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RJK0652DPB-00#J5 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.0055 ohm, 10 V

RENESAS RJK0652DPB-00#J5
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
RENESAS RENESAS
制造商产品编号:
RJK0652DPB-00#J5
仓库库存编号:
2135161
技术数据表:
(EN)
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RJK0652DPB-00#J5产品概述

The RJK0652DPB-00#J5 is a 35A 60V surface-mount 1-channel silicon N-channel power MOSFET Power Switching with low drive current and low on-resistance. It is capable of 4.5V gate drive and 55W power dissipation.
  • High speed switching
  • Low on-resistance

电源管理

RJK0652DPB-00#J5产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  35A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  0.0055ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  -  
  功耗 Pd  55W  
  晶体管封装类型  SC-100  
  针脚数  5引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 2A - 4星期  
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型号 制造商 描述 操作
RJK0652DPB-00#J5
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Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
RJK0652DPB-00#J5
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Renesas Electronics Corporation

MOSFET JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
RJK0652DPB-00-J5
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Renesas Electronics Corporation

Trans MOSFET N-CH 60V 35A T/R (Alt: RJK0652DPB-00-J5)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
RJK0652DPB-00#J5
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Renesas Electronics Corporation  

RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes

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Renesas Electronics America - RJK0652DPB-00#J5 - MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 35A(Ta) 55W(Tc) LFPAK

型号:RJK0652DPB-00#J5
仓库库存编号:RJK0652DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK0652DPB-00#J5-ND <br>RJK0652DPB-00#J5TR <br>

无铅
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
RJK0652DPB-00#J5
RENESAS RJK0652DPB-00#J5
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RENESAS

晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.0055 ohm, 10 V

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RJK0652DPB-00#J5|RENESASRJK0652DPB-00#J5
RENESAS
场效应管 MOSFET N沟道 60V 35A SC-100
Rohs

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场效应管 MOSFET N沟道 60V 35A SC-100
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MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
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RJK0652DPB-00#J5产地与重量

原产地:
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00029
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