SBC846BWT1G,2533346,Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 200 hFE,ON SEMICONDUCTOR
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SBC846BWT1G - 

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 200 hFE

ON SEMICONDUCTOR SBC846BWT1G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SBC846BWT1G
仓库库存编号：
2533346
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SBC846BWT1G产品信息

  晶体管极性  NPN  
  集电极发射电压, Vceo  65V  
  过渡频率, ft  100MHz  
  功耗 Pd  200mW  
  集电极直流电流  100mA  
  直流电流增益, hFE  200hFE  
  晶体管封装类型  SOT-323  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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QQ:800152669

SBC846BWT1G产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.000013
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