NVMFD5877NLT1G,2533211,Dual MOSFET, Dual N Channel, 17 A, 60 V, 0.031 ohm, 10 V, 3 V,ON SEMICONDUCTOR
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NVMFD5877NLT1G - 

Dual MOSFET, Dual N Channel, 17 A, 60 V, 0.031 ohm, 10 V, 3 V

ON SEMICONDUCTOR NVMFD5877NLT1G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
NVMFD5877NLT1G
仓库库存编号：
2533211
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NVMFD5877NLT1G产品信息

  晶体管极性  双N沟道  
  电流, Id 连续  17A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  0.031ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  23W  
  晶体管封装类型  DFN  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  -  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

NVMFD5877NLT1G产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0005
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