NVMFD5853NLT1G,2724463,双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 34 A, 40 V, 0.0084 ohm, 10 V, 2.4 V,ON SEMICONDUCTOR
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4.7μF 63V 5mm
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NVMFD5853NLT1G
NVMFD5853NLT1G -
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 34 A, 40 V, 0.0084 ohm, 10 V, 2.4 V
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON SEMICONDUCTOR
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制造商产品编号：
NVMFD5853NLT1G
仓库库存编号：
2724463
技术数据表：
(EN)
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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NVMFD5853NLT1G产品信息
晶体管极性
双N沟道
电流, Id 连续
34A
漏源电压, Vds
40V
在电阻RDS（上）
0.0084ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
2.4V
功耗 Pd
24W
晶体管封装类型
DFN
针脚数
8引脚
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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电流, Id 连续 34A
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漏源电压, Vds 40V
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在电阻RDS（上） 0.0084ohm
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电压 @ Rds测量 10V
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双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 2.4V
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功耗 Pd 24W
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晶体管封装类型 DFN
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工作温度最高值 175°C
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双路场效应管MOSFET晶体管 工作温度最高值 175°C
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产品范围 -
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双路场效应管MOSFET晶体管 汽车质量标准 AEC-Q101
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MSL MSL 1 -无限制
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双路场效应管MOSFET晶体管 MSL MSL 1 -无限制
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Q Q：
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NVMFD5853NLT1G产地与重量
原产地：
Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000013
美国1号品牌选型
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英国2号品牌选型
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日本5号品牌选型
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