NVD5863NLT4G,2728046,晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 60 V, 0.0056 ohm, 10 V, 3 V,ON SEMICONDUCTOR
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NVD5863NLT4G
NVD5863NLT4G -
晶体管, MOSFET, N沟道, 82 A, 60 V, 0.0056 ohm, 10 V, 3 V
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON SEMICONDUCTOR
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制造商产品编号：
NVD5863NLT4G
仓库库存编号：
2728046
技术数据表：
(EN)
订购热线：
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NVD5863NLT4G产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
82A
漏源电压, Vds
60V
在电阻RDS（上）
0.0056ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
3V
功耗 Pd
96W
晶体管封装类型
TO-252
针脚数
3引脚
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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晶体管极性 N沟道
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电流, Id 连续 82A
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漏源电压, Vds 60V
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电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 3V
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功耗 Pd 96W
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NVD5863NLT4G产地与重量
原产地：
Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00001
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