NVD5807NT4G,2728045,晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 40 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V,ON SEMICONDUCTOR
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NVD5807NT4G - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 40 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V

ON SEMICONDUCTOR NVD5807NT4G
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制造商产品编号：
NVD5807NT4G
仓库库存编号：
2728045
技术数据表：
(EN)
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NVD5807NT4G产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  23A  
  漏源电压, Vds  40V  
  在电阻RDS（上）  0.02ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2.5V  
  功耗 Pd  33W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
NVD5807NT4G-VF01
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MOSFET N-CH 40V 23A DPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET POWER MOSFET

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NVD5807NT4G
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Trans MOSFET N-CH 40V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: NVD5807NT4G)

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Trans MOSFET N-CH 40V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: NVD5807NT4G)

RoHS: Compliant

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NVD5807NT4G
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Trans MOSFET N-CH 40V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: NVD5807NT4G)

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型号 制造商 描述 操作
NVD5807NT4G
[更多]		 ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
NVD5807NT4G
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MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-252

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ON Semiconductor - NVD5807NT4G-VF01 - MOSFET N-CH 40V 23A DPAK		ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 33W（Tc） DPAK

型号：NVD5807NT4G-VF01
仓库库存编号：NVD5807NT4G-VF01CT-ND
别名：NVD5807NT4G-VF01CT
NVD5807NT4GOSCT
NVD5807NT4GOSCT-ND
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NVD5807NT4G|ON SemiconductorNVD5807NT4G
ON Semiconductor		MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Rohs

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NVD5807NT4G
ON SEMICONDUCTOR NVD5807NT4G		2728045

ON SEMICONDUCTOR

晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 40 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V

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NVD5807NT4G产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000389
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