NTS2101PT1G.,2132173,场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, 1.4A SOT-323,ON SEMICONDUCTOR
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
Laird产品选型
按产品分类选型
按制造商选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
28B0500-100
IRF9540
保险丝
amphenol
4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
2581138
新加坡2号仓库
>
半导体 - 分立器件
>
晶体管
>
MOSFET晶体管
>
场效应管MOSFET晶体管(600V以下)
>
NTS2101PT1G.
NTS2101PT1G. -
场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, 1.4A SOT-323
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTOR
制造商产品编号:
NTS2101PT1G.
仓库库存编号:
2132173
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
NTS2101PT1G.产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
1.4A
漏源电压, Vds
-8V
在电阻RDS(上)
100mohm
电压 @ Rds测量
-4.5V
阈值电压 Vgs
-700mV
功耗 Pd
290mW
晶体管封装类型
SOT-323
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
关键词
NTS2101PT1G.替代选择
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
NTS2101PT1G
1453612
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.4 A, -8 V, 100 mohm, -4.5 V, -700 mV
(EN)
搜索
NTS2101PT1G.相关搜索
晶体管极性 P沟道
ON SEMICONDUCTOR 晶体管极性 P沟道
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道
电流, Id 连续 1.4A
ON SEMICONDUCTOR 电流, Id 连续 1.4A
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 1.4A
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 1.4A
漏源电压, Vds -8V
ON SEMICONDUCTOR 漏源电压, Vds -8V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -8V
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -8V
在电阻RDS(上) 100mohm
ON SEMICONDUCTOR 在电阻RDS(上) 100mohm
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 100mohm
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 100mohm
电压 @ Rds测量 -4.5V
ON SEMICONDUCTOR 电压 @ Rds测量 -4.5V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -4.5V
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -4.5V
阈值电压 Vgs -700mV
ON SEMICONDUCTOR 阈值电压 Vgs -700mV
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -700mV
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -700mV
功耗 Pd 290mW
ON SEMICONDUCTOR 功耗 Pd 290mW
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 290mW
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 290mW
晶体管封装类型 SOT-323
ON SEMICONDUCTOR 晶体管封装类型 SOT-323
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-323
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-323
针脚数 3引脚
ON SEMICONDUCTOR 针脚数 3引脚
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
工作温度最高值 150°C
ON SEMICONDUCTOR 工作温度最高值 150°C
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
产品范围 -
ON SEMICONDUCTOR 产品范围 -
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -
汽车质量标准 -
ON SEMICONDUCTOR 汽车质量标准 -
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -
MSL MSL 1 - Unlimited
ON SEMICONDUCTOR MSL MSL 1 - Unlimited
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 - Unlimited
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 - Unlimited
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
NTS2101PT1G.产地与重量
原产地:
Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412100
重量(千克):
.000032
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
laird电子简介
|
laird产品
|
laird动态
|
按系列选型
|
按产品规格选型
|
laird产品应用
|
laird选型手册
Copyright © 2017
www.laird-tek.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:
800152669
邮箱:
sales@szcwdz.com