NTR1P02T1G,2317617,晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -20 V, 0.148 ohm, -10 V, -1.9 V,ON SEMICONDUCTOR
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NTR1P02T1G - 

晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -20 V, 0.148 ohm, -10 V, -1.9 V

ON SEMICONDUCTOR NTR1P02T1G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
NTR1P02T1G
仓库库存编号：
2317617
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NTR1P02T1G产品概述

The NTR1P02T1G is a P-channel Power MOSFET features ultra-low on-resistance provides higher efficiency and extends battery life.

通信与网络, 计算机和计算机周边

NTR1P02T1G产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  1A  
  漏源电压, Vds  -20V  
  在电阻RDS（上）  0.148ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -1.9V  
  功耗 Pd  400mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
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NTR1P02T1G产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000033
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