NTP8G206NG,2493487,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.15 ohm, 8 V, 2.1 V,ON SEMICONDUCTOR
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NTP8G206NG
NTP8G206NG -
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.15 ohm, 8 V, 2.1 V
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTOR
制造商产品编号：
NTP8G206NG
仓库库存编号：
2493487
技术数据表：
(EN)
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NTP8G206NG产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
17A
漏源电压, Vds
600V
在电阻RDS（上）
0.15ohm
电压 @ Rds测量
8V
阈值电压 Vgs
2.1V
功耗 Pd
96W
晶体管封装类型
TO-220
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
MSL
-
关键词
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在电阻RDS（上） 0.15ohm
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电压 @ Rds测量 8V
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功耗 Pd 96W
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邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
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NTP8G206NG产地与重量
原产地：
South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.004536
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新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
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