NTMS4177PR2G,2533198,晶体管, MOSFET, P沟道, -11.4 A, -30 V, 10 mohm, -10 V, -2.5 V,ON SEMICONDUCTOR
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NTMS4177PR2G - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -11.4 A, -30 V, 10 mohm, -10 V, -2.5 V

ON SEMICONDUCTOR NTMS4177PR2G
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制造商产品编号:
NTMS4177PR2G
仓库库存编号:
2533198
技术数据表:
(EN)
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NTMS4177PR2G产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -11.4A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS(上)  0.01ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -2.5V  
  功耗 Pd  2.5W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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NTMS4177PR2G
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ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

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MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

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MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

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MOSFET PFET SO8 30V 9.6A TR

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Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: NTMS4177PR2G)

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Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R - Cut TR (SOS) (Alt: NTMS4177PR2G/BKN)

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Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: NTMS4177PR2G)

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P-Channel 30 V 12 mOhm 29 nC Surface Mount Power Mosfet -SOIC-8

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NTMS4177PR2G P-channel MOSFET Transistor, 11.4 A, 30 V, 8-Pin SOIC

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NTMS4177PR2G
ON SEMICONDUCTOR NTMS4177PR2G
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ON SEMICONDUCTOR

晶体管, MOSFET, P沟道, -11.4 A, -30 V, 10 mohm, -10 V, -2.5 V

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ON Semiconductor - NTMS4177PR2G - 8-Pin SOIC 30 V 11.4 A NTMS4177PR2G P-channel MOSFET Transistor|70341381 | ChuangWei Electronics
ON Semiconductor
NTMS4177PR2G P-channel MOSFET Transistor, 11.4 A, 30 V, 8-Pin SOIC


型号:NTMS4177PR2G
仓库库存编号:70341381

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ON Semiconductor - NTMS4177PR2G - ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTMS4177PR2G, 11.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
NTMS4177PR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
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NTMS4177PR2G|ON SemiconductorNTMS4177PR2G
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MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
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ON Semiconductor - NTMS4177PR2G - MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Ta) 840mW(Ta) 8-SOIC

型号:NTMS4177PR2G
仓库库存编号:NTMS4177PR2GCT-ND
别名:NTMS4177PR2GCT
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NTMS4177PR2G|ON SemiconductorNTMS4177PR2G
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NTMS4177PR2G产地与重量

原产地:
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.0001
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