NTMFS4833NT1G - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.5 V

NTMFS4833NT1G产品信息

NTMFS4833NT1G替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
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• 操作

• NTMFS4935NT1G
  
• 2317523

• ON SEMICONDUCTOR

  晶体管, MOSFET, N沟道, 93 A, 30 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.63 V

  (EN)
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• NTMFS4935NT1G.
  
• 2393615

• ON SEMICONDUCTOR

  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.0027Ω, 93A, SOIC-8

  (EN)
• 搜索

• SI7658ADP-T1-GE3
  
• 2458667

• VISHAY

  N CHANNEL MOSFET, 30V, 60A, SOIC

  (EN)
• 搜索

• SIR158DP-T1-GE3
  
• 2749591

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.00145 ohm, 10 V, 2.5 V

  (EN)
• 查看其他仓库

NTMFS4833NT1G关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• IR2133SPBF
  
• 1023215

• INFINEON

  驱动器, MOSFET, 3相桥接, 10V-20V电源, 500mA输出, 700ns延迟, SOIC-28

  (EN)
• 搜索

• IR2110SPBF
  
• 8638845

• INFINEON

  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 94ns延迟, SOIC-16

  (EN)
• 搜索

• IR2113SPBF
  
• 8638888

• INFINEON

  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 94ns延迟, SOIC-16

  (EN)
• 搜索

NTMFS4833NT1G相关搜索

NTMFS4833NT1G产地与重量

原产地：

Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000171