NTLUD4C26NTAG,2728028,双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.3 A, 30 V, 0.0175 ohm, 10 V, 1.1 V,ON SEMICONDUCTOR
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NTLUD4C26NTAG
NTLUD4C26NTAG -
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.3 A, 30 V, 0.0175 ohm, 10 V, 1.1 V
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON SEMICONDUCTOR
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制造商产品编号：
NTLUD4C26NTAG
仓库库存编号：
2728028
技术数据表：
(EN)
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NTLUD4C26NTAG产品信息
晶体管极性
双N沟道
电流, Id 连续
7.3A
漏源电压, Vds
30V
在电阻RDS（上）
0.0175ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
1.1V
功耗 Pd
1.7W
晶体管封装类型
UDFN
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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电流, Id 连续 7.3A
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漏源电压, Vds 30V
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在电阻RDS（上） 0.0175ohm
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双路场效应管MOSFET晶体管 在电阻RDS（上） 0.0175ohm
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电压 @ Rds测量 10V
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双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 1.1V
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功耗 Pd 1.7W
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双路场效应管MOSFET晶体管 功耗 Pd 1.7W
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晶体管封装类型 UDFN
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Q Q：
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NTLUD4C26NTAG产地与重量
原产地：
Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00001
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