NTJD4105CT1G,2464121,双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 630 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 920 mV,ON SEMICONDUCTOR
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NTJD4105CT1G - 

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 630 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 920 mV

ON SEMICONDUCTOR NTJD4105CT1G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
NTJD4105CT1G
仓库库存编号：
2464121
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NTJD4105CT1G产品概述

The NTJD4105CT1G is a -8/20V P and N-channel Small Signal MOSFET designed with low RDS(on) for minimum footprint and increased circuit efficiency. The low RDS (on) performance is particularly suited for single or dual cell Li-Ion battery supplied devices such as cell phones, media players, digital cameras and PDAs.
  • Complementary N and P channel device
  • Leading -8V trench for low RDS(on) performance
  • ESD protected gate- Class 1 ESD rating
  • 460°C/W Thermal resistance, junction to ambient

通信与网络, 消费电子产品, 计算机和计算机周边, 多媒体

NTJD4105CT1G产品信息

  晶体管极性  N和P沟道  
  电流, Id 连续  630mA  
  漏源电压, Vds  20V  
  在电阻RDS（上）  0.29ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  920mV  
  功耗 Pd  270mW  
  晶体管封装类型  SOT-363  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

NTJD4105CT1G产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.000006
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