NTD3055L104T4G.,2370844,场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 12A, TO-252, 整卷,ON SEMICONDUCTOR
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NTD3055L104T4G. - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 12A, TO-252, 整卷

ON SEMICONDUCTOR NTD3055L104T4G.
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制造商产品编号：
NTD3055L104T4G.
仓库库存编号：
2370844
技术数据表：
(EN)
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NTD3055L104T4G.产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  12A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  0.089ohm  
  电压 @ Rds测量  5V  
  阈值电压 Vgs  1.6V  
  功耗 Pd  48W  
  晶体管封装类型  TO-252  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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NTD3055L104T4G.产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000454
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