NTD20P06LT4G - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -15.5 A, -60 V, 0.143 ohm, -5 V, -1.5 V

NTD20P06LT4G产品概述

NTD20P06LT4G产品信息

NTD20P06LT4G替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• IRFR5505TRPBF
  
• 1374936

• INTERNATIONAL RECTIFIER

  场效应管, MOSFET

  (EN)
• 搜索

• SUD19P06-60-GE3.
  
• 1690276

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 19A, TO-252

  (EN)
• 搜索

• IRFR5505TRPBF
  
• 2468041

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -55 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V

  (EN)
• 搜索

NTD20P06LT4G关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• IR2133SPBF
  
• 1023215

• INFINEON

  驱动器, MOSFET, 3相桥接, 10V-20V电源, 500mA输出, 700ns延迟, SOIC-28

  (EN)
• 搜索

• IR2110SPBF
  
• 8638845

• INFINEON

  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 94ns延迟, SOIC-16

  (EN)
• 搜索

• IR2113SPBF
  
• 8638888

• INFINEON

  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 94ns延迟, SOIC-16

  (EN)
• 搜索

NTD20P06LT4G相关搜索

NTD20P06LT4G产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000462