NTB5426NT4G,1761062,场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 130A, D2-PAK,ON SEMICONDUCTOR
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NTB5426NT4G - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 130A, D2-PAK

ON SEMICONDUCTOR NTB5426NT4G
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制造商产品编号：
NTB5426NT4G
仓库库存编号：
1761062
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NTB5426NT4G产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  130A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  6mohm  
  电压 @ Rds测量  60V  
  阈值电压 Vgs  3.1V  
  功耗 Pd  215W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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NTB5426NT4G产地与重量

原产地：
Malaysia

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
Y-Ex
税则号：
85412100
重量（千克）：
.001922
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