NGTB03N60R2DT4G,2492864,单晶体管, IGBT, 9 A, 1.7 V, 49 W, 600 V, TO-252, 3 引脚,ON SEMICONDUCTOR
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NGTB03N60R2DT4G
NGTB03N60R2DT4G -
单晶体管, IGBT, 9 A, 1.7 V, 49 W, 600 V, TO-252, 3 引脚
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTOR
制造商产品编号：
NGTB03N60R2DT4G
仓库库存编号：
2492864
技术数据表：
(EN)
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NGTB03N60R2DT4G产品信息
集电极直流电流
9A
集电极发射饱和电压, Vce
1.7V
功耗 Pd
49W
集电极发射电压, Vceo
600V
晶体管封装类型
TO-252
针脚数
3引脚
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
NGTB03N60R2DT4G相关搜索
集电极直流电流 9A
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集电极发射饱和电压, Vce 1.7V
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功耗 Pd 49W
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集电极发射电压, Vceo 600V
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晶体管封装类型 TO-252
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IGBT单路晶体管 晶体管封装类型 TO-252
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针脚数 3引脚
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IGBT单路晶体管 针脚数 3引脚
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工作温度最高值 175°C
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Q Q：
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NGTB03N60R2DT4G产地与重量
原产地：
China
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.001828
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