NDF03N60ZG,1848713,场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 3A, TO-220FP,ON SEMICONDUCTOR
专业代理销售laird(莱尔德)全系列产品-新加坡2号仓库
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
Laird产品选型
按产品分类选型
按制造商选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
28B0500-100
IRF9540
保险丝
amphenol
4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
2581138
新加坡2号仓库
>
半导体 - 分立器件
>
晶体管
>
MOSFET晶体管
>
场效应管MOSFET晶体管(600V以上)
>
NDF03N60ZG
NDF03N60ZG -
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 3A, TO-220FP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTOR
制造商产品编号:
NDF03N60ZG
仓库库存编号:
1848713
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
NDF03N60ZG产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
3A
漏源电压, Vds
600V
在电阻RDS(上)
3.3ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
3.9V
功耗 Pd
25W
晶体管封装类型
TO-220FP
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
MSL
-
关键词
NDF03N60ZG相关搜索
晶体管极性 N沟道
ON SEMICONDUCTOR 晶体管极性 N沟道
场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管极性 N沟道
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管极性 N沟道
电流, Id 连续 3A
ON SEMICONDUCTOR 电流, Id 连续 3A
场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电流, Id 连续 3A
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电流, Id 连续 3A
漏源电压, Vds 600V
ON SEMICONDUCTOR 漏源电压, Vds 600V
场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 漏源电压, Vds 600V
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 漏源电压, Vds 600V
在电阻RDS(上) 3.3ohm
ON SEMICONDUCTOR 在电阻RDS(上) 3.3ohm
场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 在电阻RDS(上) 3.3ohm
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 在电阻RDS(上) 3.3ohm
电压 @ Rds测量 10V
ON SEMICONDUCTOR 电压 @ Rds测量 10V
场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 电压 @ Rds测量 10V
阈值电压 Vgs 3.9V
ON SEMICONDUCTOR 阈值电压 Vgs 3.9V
场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 阈值电压 Vgs 3.9V
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 阈值电压 Vgs 3.9V
功耗 Pd 25W
ON SEMICONDUCTOR 功耗 Pd 25W
场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 功耗 Pd 25W
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 功耗 Pd 25W
晶体管封装类型 TO-220FP
ON SEMICONDUCTOR 晶体管封装类型 TO-220FP
场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管封装类型 TO-220FP
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 晶体管封装类型 TO-220FP
针脚数 3引脚
ON SEMICONDUCTOR 针脚数 3引脚
场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 3引脚
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 针脚数 3引脚
工作温度最高值 150°C
ON SEMICONDUCTOR 工作温度最高值 150°C
场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 工作温度最高值 150°C
产品范围 -
ON SEMICONDUCTOR 产品范围 -
场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 产品范围 -
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) 产品范围 -
MSL -
ON SEMICONDUCTOR MSL -
场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL -
ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以上) MSL -
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
NDF03N60ZG产地与重量
原产地:
South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412100
重量(千克):
.002953
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
laird电子简介
|
laird产品
|
laird动态
|
按系列选型
|
按产品规格选型
|
laird产品应用
|
laird选型手册
Copyright © 2017
www.laird-tek.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
版权所有:深圳市创唯电子有限公司 客服电话:400-900-3095 企业QQ:
800152669
邮箱:
sales@szcwdz.com