MTB50P03HDLT4G,1762793,场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 50A, D2-PAK,ON SEMICONDUCTOR
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MTB50P03HDLT4G - 

场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 50A, D2-PAK

ON SEMICONDUCTOR MTB50P03HDLT4G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
MTB50P03HDLT4G
仓库库存编号：
1762793
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MTB50P03HDLT4G产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  50A  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS（上）  25mohm  
  电压 @ Rds测量  5V  
  阈值电压 Vgs  1.5V  
  功耗 Pd  125W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

MTB50P03HDLT4G产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.001959
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