MMBTH10LT1G -

单晶体管双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE

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制造商：: ON SEMICONDUCTOR ON SEMICONDUCTOR
制造商产品编号：: MMBTH10LT1G
仓库库存编号：: 1459112RL
技术数据表：: (EN)

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MMBTH10LT1G产品概述

The MMBTH10LT1G is an NPN Silicon VHF/UHF Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.

Halogen-free

射频通信, 工业

MMBTH10LT1G替代选择

制造商产品编号
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制造商 / 说明 / 规格书
操作

MMBTH10LT1G
2441389
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单晶体管双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE
(EN)
搜索

晶体管极性	NPN
集电极发射电压, Vceo	25V
过渡频率, ft	650MHz
功耗 Pd	225mW
集电极直流电流	4mA
直流电流增益, hFE	60hFE
晶体管封装类型	SOT-23
针脚数	3引脚
工作温度最高值	150°C
产品范围	MMBTxxxx Series
汽车质量标准	-
MSL	MSL 1 -无限制
关键词

MMBTH10LT1G -

单晶体管双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE

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MMBTH10LT1G产地与重量

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单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE

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