MMBT4401LT1G -

单晶体管双极, 通用, NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 250 hFE

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制造商：: ON SEMICONDUCTOR ON SEMICONDUCTOR
制造商产品编号：: MMBT4401LT1G
仓库库存编号：: 1459105RL
技术数据表：: (EN)

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MMBT4401LT1G产品概述

The MMBT4401LT1G is a 40V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.

Halogen-free/BFR-free
AEC-Q101 qualified and PPAP capable
60VDC Collector to base voltage (VCBO)
6VDC Emitter to base voltage (VEBO)
900mADC Peak collector current
556°C/W Thermal resistance, junction to ambient

工业, 电源管理

MMBT4401LT1G替代选择

制造商产品编号
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制造商 / 说明 / 规格书
操作

晶体管极性	NPN
集电极发射电压, Vceo	40V
过渡频率, ft	250MHz
功耗 Pd	225mW
集电极直流电流	600mA
直流电流增益, hFE	250hFE
晶体管封装类型	SOT-23
针脚数	3引脚
工作温度最高值	150°C
产品范围	MMBTxxxx Series
汽车质量标准	-
MSL	MSL 1 -无限制
关键词

MMBT4401LT1G -

单晶体管双极, 通用, NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 250 hFE

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单晶体管双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 20 hFE

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