MMBF0201NLT1G.,1130701,场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-23, SMD, 20V,ON SEMICONDUCTOR
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

MMBF0201NLT1G. - 

场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-23, SMD, 20V

ON SEMICONDUCTOR MMBF0201NLT1G.
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
MMBF0201NLT1G.
仓库库存编号：
1130701
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

MMBF0201NLT1G.产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  300mA  
  漏源电压, Vds  20V  
  在电阻RDS（上）  0.75ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.7V  
  功耗 Pd  225mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
关键词         

MMBF0201NLT1G.替代选择

  • 制造商产品编号
  • 仓库库存编号
  • 制造商 / 说明 / 规格书
  • 操作

MMBF0201NLT1G.相关搜索

晶体管极性 N沟道  ON SEMICONDUCTOR 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 300mA  ON SEMICONDUCTOR 电流, Id 连续 300mA  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 300mA  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 300mA   漏源电压, Vds 20V  ON SEMICONDUCTOR 漏源电压, Vds 20V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 20V  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 20V   在电阻RDS（上） 0.75ohm  ON SEMICONDUCTOR 在电阻RDS（上） 0.75ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.75ohm  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.75ohm   电压 @ Rds测量 10V  ON SEMICONDUCTOR 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 1.7V  ON SEMICONDUCTOR 阈值电压 Vgs 1.7V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 1.7V  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 1.7V   功耗 Pd 225mW  ON SEMICONDUCTOR 功耗 Pd 225mW  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 225mW  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 225mW   晶体管封装类型 SOT-23  ON SEMICONDUCTOR 晶体管封装类型 SOT-23  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-23  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-23   针脚数 3引脚  ON SEMICONDUCTOR 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 150°C  ON SEMICONDUCTOR 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  ON SEMICONDUCTOR 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  ON SEMICONDUCTOR 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 - Unlimited  ON SEMICONDUCTOR MSL MSL 1 - Unlimited  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 - Unlimited  ON SEMICONDUCTOR 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 - Unlimited  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

MMBF0201NLT1G.产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.000031
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com