MJD112T4G - 

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 200 hFE

MJD112T4G产品信息

MJD112T4G替代选择

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• MJD112G
  
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  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12000 hFE

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• MJD112T4
  
• 2341708

• STMICROELECTRONICS

  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 1000 hFE

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  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 200 hFE

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• DCA55T
  
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  元件分析仪, ATLAS, 冷蓝色

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MJD112T4G产地与重量

原产地：

Vietnam

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000426