MCH6664-TL-W,2452034RL,双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.5 A, -30 V, 0.458 ohm, -4 V, -2.6 V,ON SEMICONDUCTOR
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4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
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MCH6664-TL-W
MCH6664-TL-W -
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.5 A, -30 V, 0.458 ohm, -4 V, -2.6 V
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON SEMICONDUCTOR
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制造商产品编号:
MCH6664-TL-W
仓库库存编号:
2452034RL
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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MCH6664-TL-W产品信息
晶体管极性
双P沟道
电流, Id 连续
-1.5A
漏源电压, Vds
-30V
在电阻RDS(上)
0.458ohm
电压 @ Rds测量
-4V
阈值电压 Vgs
-2.6V
功耗 Pd
800mW
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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电流, Id 连续 -1.5A
ON SEMICONDUCTOR 电流, Id 连续 -1.5A
双路场效应管MOSFET晶体管 电流, Id 连续 -1.5A
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漏源电压, Vds -30V
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双路场效应管MOSFET晶体管 漏源电压, Vds -30V
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在电阻RDS(上) 0.458ohm
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双路场效应管MOSFET晶体管 在电阻RDS(上) 0.458ohm
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电压 @ Rds测量 -4V
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双路场效应管MOSFET晶体管 电压 @ Rds测量 -4V
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阈值电压 Vgs -2.6V
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双路场效应管MOSFET晶体管 阈值电压 Vgs -2.6V
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功耗 Pd 800mW
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双路场效应管MOSFET晶体管 功耗 Pd 800mW
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晶体管封装类型 SOT-363
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工作温度最高值 150°C
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双路场效应管MOSFET晶体管 工作温度最高值 150°C
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产品范围 -
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双路场效应管MOSFET晶体管 MSL MSL 1 -无限制
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邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
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MCH6664-TL-W产地与重量
原产地:
China
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412100
重量(千克):
.0007
美国1号品牌选型
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英国2号品牌选型
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