BSS138LT3G,2101819,晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 5.6 ohm, 2.75 V, 500 mV,ON SEMICONDUCTOR
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BSS138LT3G
BSS138LT3G -
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 5.6 ohm, 2.75 V, 500 mV
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTOR
制造商产品编号:
BSS138LT3G
仓库库存编号:
2101819
技术数据表:
(EN)
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400-900-3095 0755-21000796, QQ:
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BSS138LT3G产品概述
The BSS138LT3G is a N-channel Power MOSFET with low threshold voltage and ideal for low voltage applications. Miniature surface mount package saves board space.
±20VDC Continuous gate-to-source voltage
556°C/W Junction-to-ambient thermal resistance
电源管理, 消费电子产品, 计算机和计算机周边
BSS138LT3G产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
200mA
漏源电压, Vds
50V
在电阻RDS(上)
5.6ohm
电压 @ Rds测量
2.75V
阈值电压 Vgs
500mV
功耗 Pd
225mW
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
BSS138LT3G关联产品
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
D00343
1306396
DURATOOL
镊子, 07型, 抗磁, 细曲形, 115 mm, 不锈钢体, 不锈钢尖
(EN)
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电压 @ Rds测量 2.75V
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功耗 Pd 225mW
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晶体管封装类型 SOT-23
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BSS138LT3G产地与重量
原产地:
Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.000006
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