BDW42G,9556877,单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 4 MHz, 85 W, 15 A, 1000 hFE,ON SEMICONDUCTOR
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BDW42G - 

单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 4 MHz, 85 W, 15 A, 1000 hFE

ON SEMICONDUCTOR BDW42G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BDW42G
仓库库存编号:
9556877
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BDW42G产品概述

The BDW42G is a 100V Silicon NPN Bipolar Complementary Darlington Power Transistor designed for general purpose and low speed switching applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
  • High DC current gain
  • Collector-emitter sustaining voltage(Vce (sus) = 100VDC minimum)
  • Low collector-emitter saturation voltage

工业

BDW42G产品信息

  晶体管极性  NPN  
  集电极发射电压, Vceo  100V  
  过渡频率, ft  4MHz  
  功耗 Pd  85W  
  集电极直流电流  15A  
  直流电流增益, hFE  1000hFE  
  晶体管封装类型  TO-220  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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BDW42G产地与重量

原产地:
South Korea

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.002
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