BC856BDW1T1G,2317637,双极晶体管阵列, 通用, 双PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-363,ON SEMICONDUCTOR
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BC856BDW1T1G
BC856BDW1T1G -
双极晶体管阵列, 通用, 双PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-363
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTOR
制造商产品编号:
BC856BDW1T1G
仓库库存编号:
2317637
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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BC856BDW1T1G产品信息
晶体管极性
双PNP
集电极发射电压, Vceo
-65V
功耗 Pd
380mW
集电极直流电流
-100mA
直流电流增益, hFE
220hFE
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
BCxxx Series
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
BC856BDW1T1G替代选择
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
BC856BDW1T1G
2440799
ON SEMICONDUCTOR
双极晶体管阵列, 通用, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-363
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集电极发射电压, Vceo -65V
ON SEMICONDUCTOR 集电极发射电压, Vceo -65V
双极结晶体管阵列(BJT) 集电极发射电压, Vceo -65V
ON SEMICONDUCTOR 双极结晶体管阵列(BJT) 集电极发射电压, Vceo -65V
功耗 Pd 380mW
ON SEMICONDUCTOR 功耗 Pd 380mW
双极结晶体管阵列(BJT) 功耗 Pd 380mW
ON SEMICONDUCTOR 双极结晶体管阵列(BJT) 功耗 Pd 380mW
集电极直流电流 -100mA
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双极结晶体管阵列(BJT) 集电极直流电流 -100mA
ON SEMICONDUCTOR 双极结晶体管阵列(BJT) 集电极直流电流 -100mA
直流电流增益, hFE 220hFE
ON SEMICONDUCTOR 直流电流增益, hFE 220hFE
双极结晶体管阵列(BJT) 直流电流增益, hFE 220hFE
ON SEMICONDUCTOR 双极结晶体管阵列(BJT) 直流电流增益, hFE 220hFE
晶体管封装类型 SOT-363
ON SEMICONDUCTOR 晶体管封装类型 SOT-363
双极结晶体管阵列(BJT) 晶体管封装类型 SOT-363
ON SEMICONDUCTOR 双极结晶体管阵列(BJT) 晶体管封装类型 SOT-363
针脚数 6引脚
ON SEMICONDUCTOR 针脚数 6引脚
双极结晶体管阵列(BJT) 针脚数 6引脚
ON SEMICONDUCTOR 双极结晶体管阵列(BJT) 针脚数 6引脚
工作温度最高值 150°C
ON SEMICONDUCTOR 工作温度最高值 150°C
双极结晶体管阵列(BJT) 工作温度最高值 150°C
ON SEMICONDUCTOR 双极结晶体管阵列(BJT) 工作温度最高值 150°C
产品范围 BCxxx Series
ON SEMICONDUCTOR 产品范围 BCxxx Series
双极结晶体管阵列(BJT) 产品范围 BCxxx Series
ON SEMICONDUCTOR 双极结晶体管阵列(BJT) 产品范围 BCxxx Series
汽车质量标准 -
ON SEMICONDUCTOR 汽车质量标准 -
双极结晶体管阵列(BJT) 汽车质量标准 -
ON SEMICONDUCTOR 双极结晶体管阵列(BJT) 汽车质量标准 -
MSL MSL 1 -无限制
ON SEMICONDUCTOR MSL MSL 1 -无限制
双极结晶体管阵列(BJT) MSL MSL 1 -无限制
ON SEMICONDUCTOR 双极结晶体管阵列(BJT) MSL MSL 1 -无限制
邮箱:
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Q Q:
800152669
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BC856BDW1T1G产地与重量
原产地:
Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.000006
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