BC639G,2317553,单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE,ON SEMICONDUCTOR
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BC639G
BC639G -
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
ON SEMICONDUCTOR
ON SEMICONDUCTOR
制造商产品编号：
BC639G
仓库库存编号：
2317553
技术数据表：
(EN)
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BC639G产品概述
The BC639G is a NPN silicon high current Transistor, 80VDC collector-emitter voltage and collector-base voltage, 5VDC emitter-base voltage, designed for medium power applications.
200°C/W Junction-to-ambient thermal resistance
83.3°C/W Junction-to-case thermal resistance
工业, 消费电子产品
BC639G产品信息
晶体管极性
NPN
集电极发射电压, Vceo
80V
过渡频率, ft
200MHz
功耗 Pd
800mW
集电极直流电流
1A
直流电流增益, hFE
40hFE
晶体管封装类型
TO-92
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
BC639G替代选择
制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
BC639RL1G
2317555
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE
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BC639G产地与重量
原产地：
Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000205
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