3LN01C-TB-H,2630394,晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 30 V, 2.9 ohm, 4 V,ON SEMICONDUCTOR
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3LN01C-TB-H - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 30 V, 2.9 ohm, 4 V

ON SEMICONDUCTOR 3LN01C-TB-H
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
3LN01C-TB-H
仓库库存编号：
2630394
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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3LN01C-TB-H产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  150mA  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS（上）  2.9ohm  
  电压 @ Rds测量  4V  
  阈值电压 Vgs  -  
  功耗 Pd  250mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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3LN01C-TB-H产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.00033
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