2N5551G,2101807,单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE,ON SEMICONDUCTOR
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2N5551G - 

单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE

ON SEMICONDUCTOR 2N5551G
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制造商产品编号：
2N5551G
仓库库存编号：
2101807
技术数据表：
(EN)
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2N5551G产品概述

The 2N5551G is a small signal high voltage NPN silicon Bipolar Transistor, designed for general purpose switching applications.
  • 200°C/W Junction-to-ambient thermal resistance
  • 83.3°C/W Junction-to-case thermal resistance

音频

2N5551G产品信息

  晶体管极性  NPN  
  集电极发射电压, Vceo  160V  
  过渡频率, ft  300MHz  
  功耗 Pd  625mW  
  集电极直流电流  600mA  
  直流电流增益, hFE  100hFE  
  晶体管封装类型  TO-92  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

2N5551G产地与重量

原产地：
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.000226
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