PSMN8R5-60YS,1785625RL,晶体管, MOSFET, N沟道, 76 A, 60 V, 5.6 mohm, 10 V, 3 V,NEXPERIA
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PSMN8R5-60YS - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 76 A, 60 V, 5.6 mohm, 10 V, 3 V

NEXPERIA PSMN8R5-60YS
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PSMN8R5-60YS
仓库库存编号：
1785625RL
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PSMN8R5-60YS产品概述

The PSMN8R5-60YS is a 60V standard level N-channel MOSFET using advanced TrenchMOS provides low RDS (on) and low gate charge and high efficiency gains in switching power converters. Suitable for use in DC to DC converters, motor control and server power supplies applications.
  • 175°C Junction temperature
  • Improved mechanical and thermal characteristics

电源管理, 电机驱动与控制

PSMN8R5-60YS产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  76A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  5.6mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  106W  
  晶体管封装类型  SOT-669  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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PSMN8R5-60YS产地与重量

原产地：
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
Y-Ex
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000896
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