PSMN7R0-60YS,1845632RL,晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 60 V, 4.95 mohm, 10 V, 3 V,NEXPERIA
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PSMN7R0-60YS - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 60 V, 4.95 mohm, 10 V, 3 V

NEXPERIA PSMN7R0-60YS
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PSMN7R0-60YS
仓库库存编号：
1845632RL
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PSMN7R0-60YS产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  89A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  4.95mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  117W  
  晶体管封装类型  SOT-669  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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PSMN7R0-60YS产地与重量

原产地：
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
Y-Ex
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000181
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