PSMN7R0-30YL,1699710,晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 30 V, 4.92 mohm, 10 V, 1.7 V,NEXPERIA
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PSMN7R0-30YL - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 30 V, 4.92 mohm, 10 V, 1.7 V

NEXPERIA PSMN7R0-30YL
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PSMN7R0-30YL
仓库库存编号：
1699710
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PSMN7R0-30YL产品概述

The PSMN7R0-30YL is a 30V logic level N-channel MOSFET uses TrenchMOS technology. High efficiency due to low switching and conduction losses and suitable for use in class D amplifiers, motor controls, DC to DC converters and server power supplies applications.
  • Suitable for logic level gate drive sources
  • 175°C Junction temperature

电源管理, 音频, 电机驱动与控制, 工业, 通信与网络

PSMN7R0-30YL产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  65A  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS（上）  4.92mohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.7V  
  功耗 Pd  51W  
  晶体管封装类型  SOT-669  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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PSMN7R0-30YL产地与重量

原产地：
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000006
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