PSMN5R5-60YS -

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 3.6 mohm, 10 V, 3 V

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制造商：: NEXPERIA NEXPERIA
制造商产品编号：: PSMN5R5-60YS
仓库库存编号：: 1785624RL
技术数据表：: (EN)

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PSMN5R5-60YS产品概述

The PSMN5R5-60YS is a 60V standard level N-channel MOSFET using advanced TrenchMOS provides low RDS (on), low gate charge and high efficiency gains in switching power converters. Suitable for use in DC to DC converters, motor control and server power supplies applications.

175°C Junction temperature
Improved mechanical and thermal characteristics

电源管理, 电机驱动与控制, 工业

晶体管极性	N沟道
电流, Id 连续	100A
漏源电压, Vds	60V
在电阻RDS（上）	3.6mohm
电压 @ Rds测量	10V
阈值电压 Vgs	3V
功耗 Pd	130W
晶体管封装类型	SOT-669
针脚数	4引脚
工作温度最高值	175°C
产品范围	-
汽车质量标准	-
MSL	MSL 1 -无限制
关键词

PSMN5R5-60YS -

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 3.6 mohm, 10 V, 3 V

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