PSMN4R5-30YLC,115,2345403,场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.0051Ω, 84A, SOT-669-5,NXP
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PSMN4R5-30YLC,115 - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.0051Ω, 84A, SOT-669-5

NXP PSMN4R5-30YLC,115
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制造商：
NXP NXP
制造商产品编号：
PSMN4R5-30YLC,115
仓库库存编号：
2345403
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PSMN4R5-30YLC,115产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  84A  
  漏源电压, Vds  30V  
  在电阻RDS（上）  0.0051ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  1.54V  
  功耗 Pd  61W  
  晶体管封装类型  SOT-669  
  针脚数  5引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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PSMN4R5-30YLC,115产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000223
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