PSMN3R9-60PS,2319896,晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 60 V, 0.00294 ohm, 10 V, 3 V,NEXPERIA
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PSMN3R9-60PS - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 130 A, 60 V, 0.00294 ohm, 10 V, 3 V

NEXPERIA PSMN3R9-60PS
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PSMN3R9-60PS
仓库库存编号：
2319896
技术数据表：
(EN)
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PSMN3R9-60PS产品概述

The PSMN3R9-60PS is a 60V standard level N-channel MOSFET uses TrenchMOS technology. High efficiency due to low switching, conduction losses and robust construction for demanding applications such as battery powered tools, motor control and UPS controls.
  • 175°C Junction temperature
  • Standard level gate

电源管理, 电机驱动与控制, 工业

PSMN3R9-60PS产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  130A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  0.00294ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  263W  
  晶体管封装类型  TO-220AB  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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PSMN3R9-60PS产地与重量

原产地：
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
Y-Ex
税则号：
85412900
重量（千克）：
.002855
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