PSMN1R8-40YLC,2319898,晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 1.45 V,NEXPERIA
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

PSMN1R8-40YLC - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 1.45 V

NEXPERIA PSMN1R8-40YLC
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PSMN1R8-40YLC
仓库库存编号：
2319898
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

PSMN1R8-40YLC产品概述

The PSMN1R8-40YLC is a 40V logic level N-channel Enhancement Mode MOSFET using NextPower technology. Optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. This device is designed for power OR-ing, server power supplies and sync rectifier applications.
  • Ultra low QG, QGD and QOSS for high system efficiencies at low and high loads
  • Ultra low RDS (ON) and low parasitic inductance

电源管理, 工业

PSMN1R8-40YLC产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  100A  
  漏源电压, Vds  40V  
  在电阻RDS（上）  0.0015ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.45V  
  功耗 Pd  272W  
  晶体管封装类型  SOT-669  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

PSMN1R8-40YLC相关搜索

晶体管极性 N沟道  NEXPERIA 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  NEXPERIA 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 100A  NEXPERIA 电流, Id 连续 100A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 100A  NEXPERIA 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 100A   漏源电压, Vds 40V  NEXPERIA 漏源电压, Vds 40V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 40V  NEXPERIA 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 40V   在电阻RDS（上） 0.0015ohm  NEXPERIA 在电阻RDS（上） 0.0015ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.0015ohm  NEXPERIA 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.0015ohm   电压 @ Rds测量 10V  NEXPERIA 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V  NEXPERIA 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 1.45V  NEXPERIA 阈值电压 Vgs 1.45V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 1.45V  NEXPERIA 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 1.45V   功耗 Pd 272W  NEXPERIA 功耗 Pd 272W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 272W  NEXPERIA 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 272W   晶体管封装类型 SOT-669  NEXPERIA 晶体管封装类型 SOT-669  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-669  NEXPERIA 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-669   针脚数 4引脚  NEXPERIA 针脚数 4引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 4引脚  NEXPERIA 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 4引脚   工作温度最高值 175°C  NEXPERIA 工作温度最高值 175°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C  NEXPERIA 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C   产品范围 -  NEXPERIA 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  NEXPERIA 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  NEXPERIA 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  NEXPERIA 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  NEXPERIA MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  NEXPERIA 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

PSMN1R8-40YLC产地与重量

原产地：
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
Y-Ex
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000454
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com