PMZB150UNE,2498598RL,晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.17 ohm, 4.5 V, 700 mV,NEXPERIA
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4.7μF 63V 5mm
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PMZB150UNE
PMZB150UNE -
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.17 ohm, 4.5 V, 700 mV
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NEXPERIA
NEXPERIA
制造商产品编号:
PMZB150UNE
仓库库存编号:
2498598RL
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PMZB150UNE产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
1.5A
漏源电压, Vds
20V
在电阻RDS(上)
0.17ohm
电压 @ Rds测量
4.5V
阈值电压 Vgs
700mV
功耗 Pd
350mW
晶体管封装类型
SOT-883B
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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晶体管极性 N沟道
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电流, Id 连续 1.5A
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漏源电压, Vds 20V
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在电阻RDS(上) 0.17ohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.17ohm
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电压 @ Rds测量 4.5V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 4.5V
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阈值电压 Vgs 700mV
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 700mV
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功耗 Pd 350mW
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 350mW
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晶体管封装类型 SOT-883B
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NEXPERIA 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
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PMZB150UNE产地与重量
原产地:
China
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412100
重量(千克):
.00082
美国1号品牌选型
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英国2号品牌选型
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