PMZB1200UPE,2498597,晶体管, MOSFET, P沟道, -410 mA, -30 V, 1.2 ohm, -4.5 V, -700 mV,NEXPERIA
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PMZB1200UPE - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -410 mA, -30 V, 1.2 ohm, -4.5 V, -700 mV

NEXPERIA PMZB1200UPE
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PMZB1200UPE
仓库库存编号：
2498597
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PMZB1200UPE产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -410mA  
  漏源电压, Vds  -30V  
  在电阻RDS（上）  1.2ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -700mV  
  功耗 Pd  310mW  
  晶体管封装类型  SOT-883B  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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PMZB1200UPE产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.00082
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