PMZ320UPE,2498594RL,晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 0.43 ohm, -4.5 V, -700 mV,NEXPERIA
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保险丝
amphenol
4.7μF 63V 5mm
P沟道 8ohm SOT-23
2581138
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PMZ320UPE
PMZ320UPE -
晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 0.43 ohm, -4.5 V, -700 mV
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
NEXPERIA
NEXPERIA
制造商产品编号:
PMZ320UPE
仓库库存编号:
2498594RL
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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PMZ320UPE产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
-1A
漏源电压, Vds
-30V
在电阻RDS(上)
0.43ohm
电压 @ Rds测量
-4.5V
阈值电压 Vgs
-700mV
功耗 Pd
350mW
晶体管封装类型
SOT-883
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 -无限制
关键词
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电流, Id 连续 -1A
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -1A
NEXPERIA 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -1A
漏源电压, Vds -30V
NEXPERIA 漏源电压, Vds -30V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -30V
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在电阻RDS(上) 0.43ohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.43ohm
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电压 @ Rds测量 -4.5V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -4.5V
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阈值电压 Vgs -700mV
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -700mV
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功耗 Pd 350mW
NEXPERIA 功耗 Pd 350mW
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 350mW
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晶体管封装类型 SOT-883
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 SOT-883
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针脚数 3引脚
NEXPERIA 针脚数 3引脚
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
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工作温度最高值 150°C
NEXPERIA 工作温度最高值 150°C
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
NEXPERIA 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
产品范围 -
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -
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MSL MSL 1 -无限制
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
NEXPERIA 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
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PMZ320UPE产地与重量
原产地:
China
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412100
重量(千克):
.00082
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
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